GaP发光二极管中深能级对发光强度的影响研究

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光学器件 | 更新时间：2025-09-01

- GaP发光二极管中深能级对发光强度的影响研究
- Study of the luminance intensity on Zn-O deep level in GaP LEDs
- 光学技术 2009年35卷第6期页码：832-834
- 作者机构：
  
  1:潍坊学院信息与控制工程学院
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：2009
- 稿件说明：
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崔连森. GaP发光二极管中深能级对发光强度的影响研究[J]. 光学技术, 2009,35(6):832-834.

Study of the luminance intensity on Zn-O deep level in GaP LEDs[J]. 2009, 35(6): 832-834.
崔连森. GaP发光二极管中深能级对发光强度的影响研究[J]. 光学技术, 2009,35(6):832-834. DOI：

Study of the luminance intensity on Zn-O deep level in GaP LEDs[J]. 2009, 35(6): 832-834. DOI：

应用深能级瞬态谱(DLTS)技术

研究了GaP发光二极管中Zn-O对深能级

并计算出了其能级的激活能。GaP红色发光二极管经过γ射线长时间辐照后

其Zn-O对的浓度和发光管发光强度发生了变化。结果表明

经γ射线辐照后

GaP红色发光二极管中的Zn-O对的浓度增大

发光强度增强。它为提高GaP红色发光二极管的发光效率提供了一种新的方法。

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