直流磁控溅射制备氧化钒薄膜

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直流磁控溅射制备氧化钒薄膜

薄膜光学 | 更新时间：2025-09-01

- 直流磁控溅射制备氧化钒薄膜
- Study on VOX films prepared by DC magnetron sputtering
- 光学技术 2010年36卷第1期页码：151-154
- 作者机构：
  
  1:西安工业大学光电微系统研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2010.01.005
  中图分类号：
- 纸质出版：2010
- 稿件说明：
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杨旭, 蔡长龙, 周顺, 等. 直流磁控溅射制备氧化钒薄膜[J]. 光学技术, 2010,36(1):151-154.

Study on VOX films prepared by DC magnetron sputtering[J]. 2010, 36(1): 151-154.
杨旭, 蔡长龙, 周顺, 等. 直流磁控溅射制备氧化钒薄膜[J]. 光学技术, 2010,36(1):151-154. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2010.01.005.

Study on VOX films prepared by DC magnetron sputtering[J]. 2010, 36(1): 151-154. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2010.01.005.

讨论了在低温下以高纯金属钒作靶材

用直流磁控溅射的方法制备出了氧化钒薄膜。通过设计正交试验

分析了氩气和氧气的流量比

溅射功率

工作压强

基底温度对氧化钒薄膜沉积速率和电阻温度系数TCR的影响

采用RTP-500型快速热处理机对氧化钒薄膜样品进行了退火热处理

实验结果表明:当Ar与O2的比例为100:4

溅射功率为120W

工作压强为2Pa时

所获得薄膜TCR较大

都在-2%/K附近

最高的可达-3.6%/K。

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