自发极化强度对VFLC电光迟滞曲线影响的电路级模拟

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仪器、测量与计量 | 更新时间：2025-09-01

- 自发极化强度对VFLC电光迟滞曲线影响的电路级模拟
- Circuit-level simulation for the effects of spontaneous polarization on opto-electric hysteresis curve of VFLC
- 光学技术 2010年36卷第6期页码：842-847
- 作者机构：
  
  1:深圳大学电子科学与技术学院微纳光子信息技术实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  深圳大学博士启动基金(801000035)
- DOI：10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2010.06.017
  中图分类号：
- 纸质出版：2010
- 稿件说明：
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王梦遥. 自发极化强度对VFLC电光迟滞曲线影响的电路级模拟[J]. 光学技术, 2010,36(6):842-847.

Circuit-level simulation for the effects of spontaneous polarization on opto-electric hysteresis curve of VFLC[J]. 2010, 36(6): 842-847.
王梦遥. 自发极化强度对VFLC电光迟滞曲线影响的电路级模拟[J]. 光学技术, 2010,36(6):842-847. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2010.06.017.

Circuit-level simulation for the effects of spontaneous polarization on opto-electric hysteresis curve of VFLC[J]. 2010, 36(6): 842-847. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2010.06.017.

提出了关于V字型铁电液晶(V-shaped Ferroelectric Liquid Crystal

VFLC)的等效电路模型

旨在将EDA技术引入对VFLC光电集成系统进行研究、开发和设计。该模型考虑了由铁电液晶盒多层结构和驱动电路引起的阻抗分配效应

以及极化与非极化锚定能对VFLC光电响应特性的影响。演示了电光迟滞曲线的反常迟滞、V字型及正常迟滞状态

并着重就自发极化强度对电光迟滞曲线的影响给出了模拟结果和分析。结果表明:强制电压随驱动信号频率的提高而增加

但增加速度随自发极化强度的提高而减慢;强制电压和迟滞反转频率随自发极化强度的变化均存在一个拐点

强制电压在自发极化强度为80nC/cm2时取到最小值(-0.084V)

迟滞反转频率在自发极化强度为90nC/cm2时达到最大值(6.4Hz);自发极化强度小于80nC/cm2时

迟滞反转频率随自发极化强度准线性增加。模拟结果从量级和趋势上均与实验结果吻合。

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