Compton散射对磁化等离子体光子晶体缺陷模密温特性的影响

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光子晶体 | 更新时间：2025-09-01

- Compton散射对磁化等离子体光子晶体缺陷模密温特性的影响
- Influences of Compton scattering on characteristic of density and temperature of the defect mode in magnetized plasma photonic crystals
- 光学技术 2012年38卷第4期页码：482-487
- 作者机构：
  
  1:郑州华信学院信息工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  河南省基础与前沿技术研究资助项目(092300410227)
- DOI：10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2012.04.001
  中图分类号：
- 纸质出版：2012
- 稿件说明：
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冯光辉, 郝东山. Compton散射对磁化等离子体光子晶体缺陷模密温特性的影响[J]. 光学技术, 2012,38(4):482-487.

Influences of Compton scattering on characteristic of density and temperature of the defect mode in magnetized plasma photonic crystals[J]. 2012, 38(4): 482-487.
冯光辉, 郝东山. Compton散射对磁化等离子体光子晶体缺陷模密温特性的影响[J]. 光学技术, 2012,38(4):482-487. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2012.04.001.

Influences of Compton scattering on characteristic of density and temperature of the defect mode in magnetized plasma photonic crystals[J]. 2012, 38(4): 482-487. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2012.04.001.

应用多光子非线性Compton散射模型和有限时域差分法

对Compton散射对磁化等离子体光子晶体缺陷模密温特性的影响进行了理论分析和数值模拟。结果表明

与Compton散射前的情况相比

Compton散射使低温低频处光子禁带中存在缺陷模的明显度降低

缺陷模频率增大

缺陷模和透射率峰值减小;使高温高频处缺陷模和透射率峰值、缺陷模频率显著增大

禁带宽减小

缺陷模位置向高频方向移动。随着电子密度的增大

散射减小了禁带增大效应和缺陷模减小效应

增强了缺陷模频率增大效应;随着电子密度的降低

散射增强了禁带变窄效应、缺陷模峰值增大效应和缺陷模频率减小效应。利用Compton散射

可实现对缺陷模密温特性的有效控制。

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