柔性PI衬底上ITO薄膜的制备及性能研究

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薄膜光学 | 更新时间：2025-09-01

- 柔性PI衬底上ITO薄膜的制备及性能研究
- Growth and properties of ITO films on flexible polyimide(PI)substrates
- 光学技术 2014年40卷第5期页码：465-469
- 作者机构：
  
  1. 1:北京理工大学光电学院及北京市混合现实与新型显示工程技术研究中心
  2. 2:北京京东方光电科技有限公司
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2014.05.018
  中图分类号：
- 纸质出版：2014
- 稿件说明：
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扈静, 喻志农, 张世玉, 等. 柔性PI衬底上ITO薄膜的制备及性能研究[J]. 光学技术, 2014,40(5):465-469.

Growth and properties of ITO films on flexible polyimide(PI)substrates[J]. 2014, 40(5): 465-469.
扈静, 喻志农, 张世玉, 等. 柔性PI衬底上ITO薄膜的制备及性能研究[J]. 光学技术, 2014,40(5):465-469. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2014.05.018.

Growth and properties of ITO films on flexible polyimide(PI)substrates[J]. 2014, 40(5): 465-469. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2014.05.018.

利用射频磁控溅射的方法在柔性PI衬底上制备ITO薄膜

通过SEM(扫描电子显微镜)、XRD(X射线衍射仪)、四探针测试仪、分光光度计

分析了通氧量、溅射功率、工作气压及衬底温度对ITO薄膜表面形貌、成膜质量和光电特性的影响。结果显示:在纯氩气环境下

溅射功率为200W

工作气压为1.5Pa

在衬底温度为185℃~225℃时

薄膜的光电特性最好

ITO薄膜的电阻率为3.64×10-4Ω·cm

透过率为97%。

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