磁流变抛光入口区域剪切力场形成机制数值分析

杨航; 任福靖; 张云飞; 黄文; 何建国; 贾阳

doi:10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2022.02.002

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

磁流变抛光入口区域剪切力场形成机制数值分析

光学加工 | 更新时间：2025-09-01

- 磁流变抛光入口区域剪切力场形成机制数值分析
- Numerical analysis of the formation mechanism of shear force field in the entrance zone of magnetorheological polishing
- 光学技术 2022年48卷第2期页码：153-158
- 作者机构：
  
  1. 1:遵义师范学院工学院
  2. 2:中国工程物理研究院机械制造工艺研究所
  3. 3:华中光电技术研究所武汉光电国家实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家“高档数控机床与基础制造装备”科技重大专项“巨型激光装置光学元件超精密制造系统示范工程”课题资助(2017ZX04022001);贵州省基础研究计划(黔科合基础-ZK[2021]一般272);遵义市科技局科技研发项目(遵市科合HZ字[2020]21号)
- DOI：10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2022.02.002
  中图分类号： TH74
- 纸质出版：2022
- 稿件说明：
移动端阅览
杨航, 任福靖, 张云飞, 等. 磁流变抛光入口区域剪切力场形成机制数值分析[J]. 光学技术, 2022,48(2):153-158.

Numerical analysis of the formation mechanism of shear force field in the entrance zone of magnetorheological polishing[J]. 2022, 48(2): 153-158.
杨航, 任福靖, 张云飞, 等. 磁流变抛光入口区域剪切力场形成机制数值分析[J]. 光学技术, 2022,48(2):153-158. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2022.02.002.

Numerical analysis of the formation mechanism of shear force field in the entrance zone of magnetorheological polishing[J]. 2022, 48(2): 153-158. DOI： 10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2022.02.002.

摘要

平面光学元件的浸入深度、凸球面光学元件的浸入深度、凸球面光学元件的曲率半径不同会使磁流变抛光入口区域剪切力场发生变化。为了研究磁流变抛光入口区域剪切力场的形成机制，建立磁流变抛光过程中必要的流体模型，对入口区域的几何特征进行分析；通过数值计算平面光学元件不同浸入深度、凸球面光学元件不同浸入深度、凸球面光学元件不同曲率半径的影响，得到对应的剪切力分布。得出结论，当平面光学元件一定浸入深度逐渐增加时，抛光区域入口处的剪切力逐渐增大；当凸球面光学元件的一定浸入深度逐渐增加时，抛光区域入口处的剪切力逐渐增大；凸球面光学元件的曲率半径对剪切力无显著影响，不同曲率半径下的剪切力分布大致相同。

Abstract

关键词

Keywords

references

浏览量

142

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

利用双流卷积神经网络的人脸表情识别方法

磁流变抛光入口区域剪切力场形成机制数值分析

Numerical analysis of the formation mechanism of shear force field in the entrance zone of magnetorheological polishing

DOI：10.13741/j.cnki.11-1879/o4.2022.02.002

摘要

Abstract

关键词

Keywords

references